埃赋隆宣布面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管

winniewei 提交于 周四, 05/09/2019
埃赋隆宣布面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管

荷兰奈梅亨  201958日,埃赋隆半导体(Ampleon现在宣布基于成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged TechnologyART,并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品这个工艺的开发旨在用于实现极其坚固的工作电压高达65V晶体管。

首款采用该工艺的产品ART2K0FE是一款2kW体管,频率响应为0650MHz,采用气腔陶瓷封装。设计能够承受工业科学和医疗(ISM)应用中常见的最恶劣条件,可用于驱动功率CO2激光器等离子发生器和一些MRI系统。ART器件之所以适用于这些应用,是因为可以处理65V条件下高达65:1的驻波比(VSWR)失配,而这在CO2激光器和等离子发生器工作时可能碰到

基于ART工艺开发的器件具有很高的阻抗,因此在开发阶段更容易将其集成到产品中,并确保在批量生产中具有更高的产品一致性。该工艺还可使所开发的器件LDMOS竞争产品更加高效。这样便可节省输入电能降低发热,来降低最终应用的运营成本。此外,采用该工艺的器件还可实现的功率密度,也就是说,它们可以采用更小更低成本的封装,从而减少其电路板占位面积进而降低系统成本。

ART器件还具有高击穿电压,有助于确保它们在整个预期寿命期间始终如一地可靠工作。埃赋隆半导体还保证这类器件可以供货15年,从而使产品设计人员可以进行长期规划。

采用气腔陶瓷封装ART2K0FE可提供样品,并有不同频率的参考电路可以选择埃赋隆半导体还提供较低热阻的超模压塑料版本ART2K0PE。两种版本预计在2019年下半年量产

关于埃赋隆半导体(Ampleon):

埃赋隆半导体创立于2015年,在射频功率领域拥有50年的领导地位,旨在发挥射频领域数据和能量传输的全部潜力。埃赋隆半导体在全球拥有超过1,350名员工,致力于为客户创造最佳价值。其创新而又一致的产品组合,可为诸如移动宽带基础设施、无线电和电视广播、CO2激光器和等离子体、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷达和空中交通管制、非蜂窝通信、射频烹饪和除霜、射频加热和等离子照明等广泛应用提供产品和解决方案。欲了解有关射频功率领域全球领先合作伙伴的详细信息,请访问www.ampleon.com

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