稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

winniewei 提交于 周一, 01/21/2019
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com
Giuseppe, Longo, 
意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com
Giusy, Gambino, 
意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com

摘要

意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电驻车制动系统) 汽车安全系统机械环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须受高温和高尖峰电流。

1. 前言

EPS和EPB系统由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。电伺服单元将电机的旋转运动机械齿轮单元,进行扭矩放大执行机械动作。电动伺服单元是用功率MOSFET实现的两相或三相逆变器,如图1所示。

1

1. EPS和EPB系统的伺服单元拓扑

图中负载是一台电机,通常是永磁无刷直流电(BLDC),一个12V电池进行供电

2. 汽车对功率MOSFET的要求

EPS和EPB逆变器所用的40V功率MOSFET要想符合AEC Q101汽车认证标准,必须满足以下所有要求:

1.开关损耗导通损耗非常低

2.输出电流

3. Ciss/Crss比值EMI抗扰性强

4.优异的耐雪崩性能

5.出色的过流和短路保护

6.热管理和散热效率

7.采用稳定的SMD封装

8.负载突降和ESD能力优异

2.1. AEC Q101功率MOSFET的参数测量值

我们选择一些符合EPS和EPB系统要求的竞品,与意法半导体的40V汽车功率MOSFET进行对比实验。表1列出了意法半导体的STL285N4F7AG汽车40V功率MOSFET和同竞品的主要参数测量

 

 

BVdss (V) @250µA

Vth

(V) @250µA

Vsd

(mV) @48A

RDSon

(m) @10V,48A

Rg()

Ciss(pF) @25V

Crss

(pF) @25V

Coss(pF) @25V

竞品

46.80

2.89

755

0.6

2.5

8450

136

4350

STL285N4F7AG

46.34

3.43

790

1.0

1.2

5600

38

2350

1. STL285N4F7AG与竞参数测量值比较表

由于两个安全系统的工作电压都是在12V-13.5V区间,功率MOSFET的标称电压是40V,因此,只要确保击穿电压(BVdss)接近46V,就能正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。为抑制导通期间差,静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小,开关损耗才能降至从而实现快速的开关操作Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数,有助于防止勒效应导致的任何异常导通,并可以更好地控制di/dtdV/dt速率,配合体-漏二极管Qrr反向恢复电荷反向恢复软度,可显着降低器件对EMI的敏感度。

为满足低耗散功率和电磁干扰的要求,STL285N4F7AG优化了电容比值(Crss/Ciss)。图2是STL285N4F7AG与竞品的电容比值比较图。

2

图2. STL285N4F7AG与竞品Crss/Ciss电容比测量值比较

此外,图3所示意法半导体的STL285N4F7AG的体-漏二极管性能测量值比较

3

图3STL285N4F7AG的体-漏二极管性能测量值比较

测量参数表明,对于一个固定的di/dt值,STL285N4F7AG的反向恢复电荷(Qrr)和恢复时间(Trr)都于竞品,个特性的好处归纳如下:

-Qrr可降低逆变器在开启时的动态损耗,并优化功率级的EMI特性;

-更好的Trr改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值在续流期间电流过体 漏二极管时,Trr导致电桥故障的常见主要原因。

因此,dv/dt保证闩锁效应耐受能力重要参数,测量结果显示意法半导体产品的dv/dt性能(4)优于竞品(5)

4

图4. STL285N4F7AG的dv/dt t测量

5

图5. 竞dv/dt测量

2.2. 短路实验性能测试

我们通过一个短路实验测量验证意法半导体40V汽车功率MOSFET在汽车安全应用中的稳性。电子系统可能各种原因发生短路,例如存在湿气缺乏绝缘保护电气部件意接触和电压过高。因为短路通常是意造成的,所以短路很少是永久的,一般持续几微秒。在短路期间,整个系统,特别是功率级必须承受多个高电流事件。我们用STL285N4F7AG和测试做了一个短路实验测量结果如图6所示:

6

图6:测试板

按照以下步骤完成实验

1)用曲线测量仪预先测试主要电气参数;

2)测试板加热至135°C施加两次10μs短路脉冲,间隔小于1s限流器保护功能激活做一次实验,不激活做一次实验。

3)对器件进行去焊处理,并再次测量主要电气参数检查功率MOSFET的完整性或性能衰减

测量结果如图7所示。

7

图7:STL285N4F7AG短路测试

在短路事件过程中测量到的实际电流值是在2000A范围内,脉冲持续时间为10μs。我们进行了十次测试Tperiod = 5sSTL285N4F7AG成功地承受短路冲击未发生任何故障但当电流值大于2400A时出现故障(图8)。

8

图8. STL285N4F7AG失效时的电流测量值(Id > 2400A)

3. 结论

实验数据表明,意法半导体最先进的AEC-Q101 40V功率MOSFET可轻松符合汽车安全系统严格要求因此意法半导体的新沟槽N沟道器件汽车EPS和EPB系统的最佳选择

4. 参考文献

[1]           F. Frisina " Dispositivi di Potenza a semiconduttore". Edizione DEL FARO Prima Edizione Giugno 2013

[2]           B. Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer Science, 2008

[3]           N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins: "Power Electronics Converters, Applications and Design" 2nd edition J. Wiley & Sons NY 1995

[4]           B. Murari, F. Berrotti, G.A. Vignola " Smart Power ICs: Technologies and Applications" 2nd Edition

相关文章

Digi-Key