东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

winniewei 提交于 周四, 04/12/2018
东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

采用小型低电阻封装,实现更低的导通电阻

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180411005580/en/

这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造,采用小型低电阻封装,具备低导通电阻,因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声,有助于降低EMI(电磁干扰)。

SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构,支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)

应用场合

  • 电动助力转向系统(EPS)
  • 负载开关
  • 电动泵

特点

  • 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装,实现了0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)。
  • 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
  • 采用可沾锡侧翼端子结构,支持小型低电阻封装。

 

主要规格

(除非另作说明,@Ta=25°C)

 

产品型号

 

漏源极
电压
VDSS
(V)

 

漏极
电流
(直流)
ID
(A)

 

漏源极
导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

 

栅源极
之间
内置
稳压二极管

 

系列

     

@VGS=6V

 

@VGS=10V

   

TPH1R104PB

 

40

 

120

 

1.96

 

1.14

 

 

U-MOS IX

TPHR7904PB

 

 

150

 

1.3

 

0.79

 

 

U-MOS IX

 

有关MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月从东芝公司完成拆分以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的1.9万名员工同心一致,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元(60亿美元)的年度销售额,致力于为全球人类创造更加美好的未来。
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