东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的UFS设备

winniewei 提交于 周四, 11/30/2017
东芝存储器株式会社推出采用64层3D闪存的UFS设备

东芝存储器株式会社今日已启动其通用闪存(UFS)设备[1]的样品生产,该设备采用东芝存储器株式会社尖端的64层BiCS FLASH™3D闪存。[2] 全新的UFS设备可满足需要高速读取和写入性能及低功耗的应用的性能需求,例如智能手机和平板电脑等移动设备以及增强现实和虚拟现实系统。

该新系列将提供四种存储容量:32GB、64GB、128GB和256GB。[3] 这些设备均在符合JEDEC标准的单一11.5 x 13mm封装中集成了闪存和控制器。该控制器执行错误校正、耗损均衡、逻辑地址向物理地址的转换以及坏块管理等功能,便于用户简化系统开发。

全部四款设备均符合JEDEC UFS Ver2.1标准,包含HS-GEAR3,每个通道理论接口速度最高可达5.8Gbps(2通道=11.6Gbps),同时不会增加功耗。64GB设备的顺序读取和写入性能[4]分别为900MB/s和180MB/s,而随机读取和写入性能分别比上一代设备[5]提高了约200%和185%。由于采用串行接口,UFS支持全双工,支持在主处理机和UFS设备之间进行并发读取和写入。

* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。


[1] 通用闪存(UFS)是一种产品类别,即一类根据JEDEC UFS标准规范生产的嵌入式存储器产品。
[2] 64GB设备样品发货即日启动,该系列其他产品将在12月之后陆续启动样品发货。
[3] 产品存储密度基于产品内置的内存芯片的密度来确定,而非最终用户数据存储的可用存储器容量。由于开销数据区域、格式设置、坏块及其他制约因素,用户可用容量会减少,根据不同的主机设备和应用,用户可用容量可能也会有所差异。请参考适用的产品规格了解详情。
[4] 读取和写入速度按照1MB/s = 1,000,000字节/秒计算。根据设备、读取和写入条件以及文件大小情况,实际读写速度可能存在差异。
[5] 东芝存储器株式会社上一代64GB设备“THGAF4G9N4LBAIR”

原文版本可在businesswire.com上查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20171128006597/en/