东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出 “TCK401G” 和 “TCK402G” N沟道MOSFET驱动器

winniewei 提交于 周五, 09/29/2017
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出 “TCK401G” 和 “TCK402G” N沟道MOSFET驱动器

东芝电子元件及储存装置株式会社面向移动和消费应用推出采用业界领先小型封装的N沟道MOSFET驱动IC

东芝电子元件及储存装置株式会社今日宣布推出 “TCK401G”(高电平有效[1])和 “TCK402G”(低电平有效[2])N沟道MOSFET驱动器,该产品支持最高可达28V的输入电压,因此适合于快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的批量发货即日启动。

新的TCK401G和TCK402G具备多种内置保护功能,包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能,但依然采用业界领先的WCSP6E小型封装,尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm(典型值)[3]。

可利用一个配有外部N沟道MOSFET的驱动器实现高效率电源电路,其中该MOSFET具备适合于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如,新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合于移动和消费应用,因为其可在较小空间内构建100W级电源电路。

应用场合

  • 移动设备
  • 消费设备

特点

  • 输入工作电压范围宽:VIN_opr =2.7-28 V
  • WCSP6E小型封装:0.8×1.2 mm,t:0.55mm(典型值)
  • 过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能

1

注:
[1] 当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET断路。
[2] 当模式控制输入端子处于低态时,则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于高态时,则外部MOSFET断路。
[3] 一种N沟道MOSFET驱动IC,截至2017年9月27日。东芝电子元件及储存装置株式会社调查。
[4] 自VCT达到VIH值一半之时起,VGATE达到规定值所耗时间。

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关于东芝电子元件及储存装置株式会社

东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月从东芝公司完成拆分以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的1.9万名员工同心一致,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元(60亿美元)的年度销售额,致力于为全球人类创造更加美好的未来。
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原文版本可在businesswire.com上查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20170928005497/en/

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