ADI公司旗下的凌力尔特推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003

ADI公司旗下的凌力尔特推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003

快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003,该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟容易地驱动大的栅极电容 MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 绝对最大值) 输入电源范围内运行,具 3.5V 至 15V 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况,这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时,就确定一个故障标记,开关则关断一段时间,关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后,LTC7003 自动重试。

LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号,并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET,该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。

LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本,扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本的温度范围为 –40°C 至 150°C,而军用温度级版本的温度范围则为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.30 美元。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LTC7003

性能概要: LTC7003                            

  宽 VIN 工作范围:3.5V 至 60V (65V 绝对最大值)

  内部充电泵提供 100% 占空比能力

  1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速接通和关断时间

  快速 35ns 传播延迟

  短路保护

  自动重启定时器

  开漏故障标记

  可调接通和关断转换速率

  栅极驱动器电源范围为 3.5V 至 15V

  可调电流限制

  电流监视器输出

  可调输入欠压和过压闭锁

  低停机电流:1µA

  CMOS 兼容型输入