采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

selinazhang 提交于 周三, 06/28/2017
采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。 

需要高功率密度1200VIGBT的典型应用包括变频器、光伏逆变器和不间断电源(UPS)。其他应用包括电池充电和储能系统。

相比常规TO-247-3封装而言,全新TO-247PLUS封装可实现双倍额定电流。由于去除了标准TO-247封装的安装孔,PLUS封装拥有较大的引线框面积,因此可以容纳更大的IGBT芯片。管脚尺寸保持不变的75 A 1200 V IGBT现已开始供货。更大的引线框可使TO-247PLUS封装具备较低热阻, 从而提高散热能力。

对于想要降低开关损耗的设计师而言,TO-247PLUS 4脚封装具有额外的开尔文发射极引脚,可降低栅极—发射极控制回路的电感,并将总开关损耗E(ts) 降低20%以上。采用TO-247PLUS 3脚和4脚封装的1200 V IGBT可增大系统功率密度。此外,它们可以减少并联功率器件数量,提高系统效率或改进系统散热。

供货

采用TO-247PLUS 3脚和TO-247PLUS 4脚封装的全新1200 V IGBT目前批量供货。产品组合包括40 A、50 A和75 A 。了解更多信息,敬请访问: www.infineon.com/to-247plus 和 www.infineon.com/to-247-4 。

公司信息: 

Infineon-英飞凌科技

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