面向单管IGBT的TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装

selinazhang 提交于 周三, 06/28/2017
面向单管IGBT的TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新封装技术TRENCHSTOP™ Advanced Isolation。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT,确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化,可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔。 

该新封装适用于诸多应用,如空调功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和变频器等。

常见的绝缘选择, 像FullPAK或采用绝缘材料的标准TO封装,其价格昂贵,较难加工。此外,它们不足以满足最新推出的大功率密度IGBT的散热需求。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation具有与标准TO-247封装同样的尺寸,但100%绝缘。不过,无需使用绝缘箔或导热硅脂。得益于从IGBT晶圆到散热器有效可靠的散热路径,该全新封装具备更大功率密度。它提高了可靠性,并降低了系统和制造成本。

由于不再需要使用绝缘材料和导热硅脂,设计人员可以将装配时间缩短达35%。与此同时,其通过消除错位箔片提高了可靠性。该全新封装的热阻(Rth)比TO-247 FullPak低50%,比采用绝缘箔的标准TO-247低35%。这些改进都转变成性能提升,相比采用FullPak封装,工作温度降低10° C。相比采用绝缘箔的标准TO-247,使用TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装可将系统效率提高0.2个百分点。 

另外,该封装具有仅38 pF的低耦合电容,这意味着抗电磁干扰(EMI)性能更佳,并有可能使用较小的滤波器。改进散热特性还有助于提高可靠性,其原因在于IGBT可在较低温度下工作,这可减轻对元器件的压力。工作温度降低还可减小散热器件的尺寸,这有助于节省系统成本。另外,由于散热要求有所降低,设计人员也可以选择更高的设计裕度,实现更高功率密度。

供货

TRENCHSTOP™ Advanced Isolation将于2017年第三季度开始供货,样品将于7月份提供。首次采用该封装技术的产品为40 A-90 A 600 V IGBT。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation亮相PCIM 2017。了解更多信息,敬请访问:  www.infineon.com\advanced-isolation  。

公司信息: 

Infineon-英飞凌科技

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