智原科技推出世界最小存储面积的40eHV与40LP SRAM编译器

智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)今日发表基于联电40eHV与40LP工艺的新一代内存编译器(SRAM compiler)。该编译器结合联电最新的0.213um2存储单元(bit cell)技术与智原科技的优化存储器外围电路设计,可自动输出具有世界最小单元面积的存储区块,尤其在40eHV的工艺节点,可显著地为行动装置显示器驱动芯片(MDDI)相关应用降低成本。 联电推出40eHV与40LP工艺最小的0.213um2储存单元后,智原立即率先推出相对应的SRAM编译器。相较于原先的0.242um2版本,新推出的编译器在各种不同存储大小与结构配置条件下,可缩小存储面积比例达15%~30%。而透过智原优化的存储器外围电路,可在不影响性能的情况下进一步缩小面积、降低功耗;相较于某些使用相同0.213um2储存单元的客制化存储器,智原的方案可减少面积的比例约20%,为Full HD与WQHD显示器驱动芯片等讲究SRAM IP面积的应用提供关键性的竞争优势。 智原科技总经理王国雍表示:“40纳米将是生命周期很长的工艺,而联电的40纳米工艺无论在IP、成本、良率与产能上都相当具有竞争力。智原将持续强化40纳米的IP解决方案,相信这个0.213um2的内存编译器将可为客户带来立即而明显的效益。” 关于智原科技 智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)为专用集成电路(ASIC)设计服务暨知识产权(IP)研发销售领导厂商,总公司位于台湾新竹科学园区,并于中国大陆、美国、日本与欧洲设有研发、营销据点。重要的IP产品包括:I/O、标准单元库、Memory Compiler、兼容ARM指令集CPU、DDR 2/3/4、低功耗DDR 1/2/3、MIPI、V-by-One、USB 3.X、10/100/1000 Ethernet、Serial ATA、PCI Express、可编程高速SerDes,以及数百个外设数字及混合讯号IP。更多信息,请浏览智原科技网站 www.faraday-tech.com 或关注微信号faradaytech。