晶圆代工新一轮热战,台积电仍是众矢之的(上)

三星与格罗方德(GF)都以攻击态势进军晶圆代工事业,其中以台积电为假想敌的三星,更宣称将比台积电更早推出10nm的方案,也会更早导入EUV的设备,希望在几年内翻转晶圆代工产业被台积电独占利益的格局。 格罗方德也以新的22nm FD-SOI工程架构投入新的战局,除了美国的工厂扩厂之外,在中国落脚成都,也让一度乏人问津FD-SOI,再受到瞩目! 稿源: DIGITIMES
晶圆代工新一轮热战,台积电仍是众矢之的(上)
市占率排名第一的台积电,最近也推出22nm ULP、12nm FFC、7+nm EUV等项目制程应战,其中又以7+nm EUV最受瞩目。而根据内部透露,台积电下半年7nm多家客户的十几个产品就将进入流片(tape-out)。 据悉,台积电原先在导入EUV时,抱持着消极的态度,甚至传言到5nm时才会导入。同时,台积电最新的EUV进展是,最新ASML曝光机台已经可以达到连续3天稳定处理超过1,500片12吋晶圆。 但最近面对格罗方德的积极攻击时,选择了22nm与12nm的制程,迎战GF的22nm FD-SOI,而三星的10nm计划,也深受台积电注意。
晶圆代工新一轮热战,台积电仍是众矢之的(上)
原先市场的认知是,EUV的设备到5nm世代才会真正导入,但三星与台积电同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的设备,获利的当然是ASML这些生产设备的业者,但也因为Multi-patterning的次数减少,对一些生产蒸镀设备的业者,就会有不利的影响。 至于FD-SOI的技术,原先是由ST Micro所研发的绝缘,并与FinFET具有相互替代效益的技术。在FinFET技术的排挤下,FD-SOI一度乏人问津,但在三星与格罗方德相继导入之后,似乎有了新的转机。此项技术在物联网相关应用时,具有低耗电的特色,而用于争取晶圆代工的商机上也颇受瞩目。