IR推出特别为同步降压应用而设计IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组

IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ,最大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ,可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片组能够为注重成本的DC-DC开关应用提供高效率、且具有成本效益的解决方案,而DirectFET确保的卓越热特性充分体现了一流的整体价值。”

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷,也具有DirectFET封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。

产品规格

器件编号 BVDSS (V) 10V下的 典型RDS(on)  (m) 4.5V下的 典型RDS(on)  (m) VGS (V) 4.5V下的 典型QG  (nC) 4.5V下的 典型QGD (nC)
IRF6728M 30 1.8 2.8 +/-20 28 8.7
IRF6708S2 30 7.5 12.0 +/-20 6.6 2.2

产品详细数据及应用说明可浏览IR网页 www.irf.com

新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ,现已接受批量订单。

专利和商标

DirectFET 和 IR 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。