TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺

BCD工艺TSMC今(15)日推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围,可支持多种LED的应用,包括:LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等,且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代,并有数个数字核心模组可供选择,适合不同的数字控制电路闸密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘试制服务,支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。

借着新工艺所提供的多项整合特色,可减少系统产品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合,降低零组件数目外,其他可被整合的零组件还包括:高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zener diode)等,也可降低外部零组件数,并显著地缩小电路板的面积。

DMOS工艺支援专业集成电路制造中领先的汲极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如: 对一特定的60V NLDMOS 元件,当BV>80V 时,其Rdson 为 72 mohm- mm2 )以及其高电流驱动能力,可藉由元件尺寸的最佳化来提升功率效能;强固的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想;更多详细的特性分析亦可作为有用的参考,使 IC 设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。

在COMS方面,5伏特工作电压能支持类比脉冲宽度调变器(Pulse Width Modulation controller)的设计,而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心,则通用于较高层次的数字整合。除此之外,与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项,亦可提供强化的数字程式设计使用。

TSMC工业电子开发处刘信生处长指出,就驱动元件整合来说,新的LED驱动IC之BCD工艺是非常尖端的技术,其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型,提供单芯片设计更多的方便性。除此之外,Mismatching Model可协助提升目前在多通道 LED驱动器设计上的精准度。