Nano2012研发项目正式启动,欧洲开始22纳米CMOS技术工艺研究

Nano2012意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布,法国经济、工业和就业部长,以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层,齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司,共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴,与双方签署了重要的技术开发协议。

Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目,聚集研究院和工业合作伙伴,得到法国国家、地区和本地政府的财政支持,旨在于创建世界最先进的研发集群,开发新一代纳电子级别的半导体技术,用于制造结构尺寸大约为几十纳米(1纳米等于十亿分之一米)的芯片。

通过为欧洲企业提供从32nm一直到22nm的最先进的具有竞争力的CMOS技术,Nano2012合作项目以及其它的世界领先的合作项目(如CATRENE)将对欧洲电子工业的持续增长做出重大贡献。Nano2012项目始于2008年1月1日,预定到2012年12月31日告一段落,法国政府机构为这个五年期项目提供部分资金。这个项目还有其它的参与者,包括INRIA(法国国家计算机科学与控制研究院)、CNRS(国家科研中心)、大学和多家中小企业。

意法半导体和CEA-LETI有很长的研发合作历史。1992年,双方首次合作建立Crolles研发中心。作为领先的研究实验室,CEA-LETI是学术研究与以市场为导向的意法半导体工业研发之间长期的重要交流桥梁。2007年7月,意法半导体加入以IBM公司在纽约East Fishkill和 Albany的两个研发中心为核心的半导体合作开发联盟,这两个中心开发32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同时IBM加盟意法半导体的Crolles研发中心,开发增值专用CMOS衍生技术。此外,在CMOS技术所需的材料和制程开发方面,CEA-LETI和IBM具有强大的实力和互补性的专业知识,双方在CEA-LETI的格勒诺布尔(法国)分公司、IBM的 East Fishkill工厂(纽约)、意法半导体的 Crolles分公司(法国)以及Albany NanoTech研究中心(纽约)合作开发 22nm以及22nm以下的先进制程。

自Nano2012项目于2008年1月启动以来,意法半导体和IBM交换Crolles和East Fishkill两地的研究人员,并在多个项目上与CEA-LETI的研究人员开展合作,包括32nm和28 nm CMOS核心制程和无线通信用45nm RF(射频)衍生技术,和汽车电子与智能卡用65nm非易失性存储器衍生技术。这些技术可降低现有通信设备、消费电子、计算机和汽车电子的功耗,延长电池使用时间,提高性能,为终端用户提供更多功能和实用性。

Nano2012项目的工作重点是为低功耗的专用CMOS衍生技术开发技术平台。一个技术平台包括把数十亿支晶体管集成到一颗芯片内所采用的制程,以及单元库和利用这个制程高效设计尖端电路的设计方法。利用在Crolles和格勒诺布尔的世界一流的研发团队,意法半导体及合作伙伴已位居这个领域的世界前列,Nano2012的重要目标之一是扩大欧洲在此一领域的领先地位。

增值专用衍生技术是标准CMOS技术的重要差异化技术,使位于Grenoble-Isere的研发集群在这个领域保持领先水平是Nano2012项目的另一重要目标。

关于CEA-LETI
CEA是法国的一家国有科研机构,主要从事下面三个领域的研究活动:能源、信息和保健技术以及国防与安全。CEA的电子和信息技术实验室(LETI)与多家企业合作,通过技术创新和输出提高企业的竞争力。LETI主攻微电子和纳电子技术及其应用,例如,无线元器件和系统、生物和保健技术或光电产品。纳电子技术和微机电系统(MEMS)是其核心业务。作为MINATEC卓越中心的一个主要成员,LETI拥有8,000 m² 的先进的无尘室,采用24/7模式以及 200 mm 和300 mm晶圆标准。LETI拥有1,200名员工,培训150多名博士生,为合作伙伴代培200名技术人员。以为半导体工业创造价值为己任,LETI特别重视知识产权,拥有1,400多个专利组合。2008年合同收入达2.1亿欧元,冲销75%以上的预算支出。详情请访问 www.leti.fr .

关于IBM
关于IBM更多详情请访问: www.ibm.com/chips

背景知识
关于纳电子

纳电子用于描述尺寸小于100纳米(nm)的电子元器件结构,并涉及尺寸更小且性能更高的现有半导体器件的制造方法。因为纳电子元器件结构呈现微型化趋势,理解和利用元器件结构的互动性极具挑战性,所以,要想在科研上取得长远进步需要使用多学科跨领域的研究方法和复杂的研究制造设施,特别需要在进入市场竞争前以产业为导向的研究活动和地区、成员国和欧盟三个级别的政府支持。

关于 CMOS技术
半导体技术长期以来被认为是推动汽车系统、工厂自动化、个人电脑、手机、消费电子多媒体设备等产业增长的引擎。具体地说,CMOS(互补金属氧化物半导体)半导体技术在电子工业发展中起着至关重要的作用。复杂的电子电路是由数百万支甚至数亿支晶体管组成,而新一代CMOS技术的面积总是比上一代技术缩小50%,因此,最终的集成电路的制造成本、功耗和性能都得到大幅度优化和改进。每一代CMOS技术是用该技术节点能够制造的最小特征尺寸来区分的。以今天最先进的电路所采用的45nm制程(45nm节点)为例,最小的存储单元之间的半个间距为45nm或一米的十亿分之四百五十。相比之下,人的头发的直径通常为50,000nm左右。

关于增值专用衍生技术
增值专用衍生技术是标准CMOS核心技术的改进技术,是针对特定应用优化的CMOS技术。这些技术在芯片功能和性能上可能完全不同于核心技术。例如,一个汽车发动机管理单元要求控制器能够实时进行高度复杂的数学计算,同时在蓄电池没电的情况下,还能保存关键的数据和参数。这种应用需要一个叫做“嵌入式非易失性存储器”的衍生技术,利用这项技术可以调整CMOS核心制程,在控制器芯片内整合一个闪存块。

在Crolles研发中心,该项目包含多项专用衍生技术,使特定类型的存储器可以嵌入从智能卡到汽车电子或航天系统的多种应用芯片内。增值专用衍生技术适应的其它应用包括影像应用(如相机模块)、射频应用(蓝牙芯片)、最大限度提高便携储备的电池使用寿命的电源管理芯片、安全首要的系统(如植入医疗芯片)、航天应用、失效会产生严重金融后果的银行和股票交易所的计算机,以及期望能够连续工作不停机的网络路由器。