全球首款34nm工艺NAND闪存芯片发布!

Intel和美光今天宣布,双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产,这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产,切割自300毫米晶圆,核心面积172平方毫米,在同类产品中是最小的。该芯片容量32Gb,一块晶圆可以换来大约1.6TB的合计容量,另外通过标准的48引脚TSOP封装,还可以将这种芯片做成更大容量的NAND闪存设备,比如两个八裸片封装就能实现64GB。

Intel表示,这种34nm 32Gb NAND闪存芯片是专为固态硬盘设计的,能带来更大的容量、更小的体积、更低的价格。该芯片样品于今年6月份供货,如今得以提前投入大批量生产。

两家公司计划在2009年初提供34nm工艺的低密度MLC和SLC产品样片。