Vishay 推出厚度仅为 0.59mm 的20V P 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET,该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装,具有此类器件中业界最薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度,以及 1.5mm×1mm 的占位面积,这也是在 1.2V 额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。

Si8441DB 提供了 1.2V VGS 时 0.600Ω 至 4.5V VGS 时 0.080Ω的导通电阻范围,且具有最高 ±5V 的栅源电压。其在 1.2V 额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求,从而节约了便携式电子设计中的空间。

Vishay同时还推出了采用相同 MICRO FOOT® 芯片级封装的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB 的最高额定栅源电源为 8V,其导通电阻范围介于 1.5V 时 0.200Ω 至 4.5V 时 0.80Ω,这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。

随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封装 — 这恰恰是Vishay的 Si8441DB 及 Si8451DB 所具有的特点。

目前,上述两款新型 MICRO FOOT® 芯片级封装功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。

创新之处
采用芯片级封装的新款MOSFET器件将最小的占位空间与最佳的导通电阻性能进行了完美的结合