Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术,而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF 及GB200TS60NPbF 模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术,可实现 10µs 短路功能的额外优势。

其中GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz~60kHz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。

Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A~200A 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中,这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) 。

上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺,可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。

器件规格表:
P/N 速度 技术 电压 IC VCE(ON) 典型.
GA100TS60SFPbF 标准 第 4 代 PT 600 V 100 A 1.39 V
GA200HS60S1PbF 标准 第 4 代 PT 600 V 200 A 1.13 V
GA200TS60UPbF 超快速 第 4 代 PT 600 V 200 A 1.74 V
GA75TS120UPbF 超快速 第 4 代 PT 1200 V 75 A 2.5 V
GA100TS120UPbF 超快速 第 4 代 PT 1200 V 100 A 2.25 V
GB100TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 100 A 2.6 V
GB150TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 150 A 2.64 V
GB200TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 200 A 2.6 V

创新之处:标准及超快速器件具有标准 PT、第 4 代及第 5 代 NPT IGBT 技术, 可实现高达 60kHz 的硬开关工作频率,且在共振模式下超过 200kHz